科技日報：ITO靶材屬于35項卡脖子技術(shù)之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴格的保密措施，限制技術(shù)擴散，目前制備太陽(yáng)能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等在國內處于****水平。在中國光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的前提下，作為薄膜太陽(yáng)能電池上游的太陽(yáng)能電池靶材市場(chǎng)規模也會(huì )保持高速發(fā)展。平板顯示器不斷向大尺寸方向發(fā)展，平板顯示器的出貨面積逐年加大；單個(gè)硬盤(pán)容量的逐年增長(cháng)，推動(dòng)了硬盤(pán)年銷(xiāo)售總容量持續增長(cháng)。國內大的半導體芯片用濺射靶材生產(chǎn)商，主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，鉭靶、鎢鈦靶、LCD用碳纖維支撐等。高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝。高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。  硅材料因導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域對靶材濺射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀(guān)結構。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數之一，除特殊用途外，絕大多數硅靶材電阻率要求越低越好，開(kāi)始應用時(shí)電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標準電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開(kāi)發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過(guò)的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。純度大于5N，且致密度大于99％。傳統的覆于電子產(chǎn)品玻璃面板表面的黑化膜對光的反射強。 磁控濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應用于玻璃鍍膜領(lǐng)域;還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高等裝飾用品等行業(yè)。透磁率可以作為評估磁性靶材透磁性能的有效指標，其測試方法還沒(méi)有相應的行業(yè)標準，很大程度上制約了國內磁性濺射靶材的研發(fā)、制作及工業(yè)化生產(chǎn)。磁控靶的實(shí)際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質(zhì)量要求等因數有關(guān)外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關(guān)。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種?？紤]到濺射靶長(cháng)期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質(zhì)的散熱系數的不同，磁控靶的使用時(shí)的承載功率。  ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。如何燒制是個(gè)問(wèn)題,而燒結大尺寸的ITO靶材就意味著(zhù)需要大型的爐子。首先需要把氧化銦和氧化錫粉末按嚴格的比例混合，然后生產(chǎn)加工成地板磚的形狀，1700攝氏度的高溫燒制，形成的黑灰色陶瓷半導體就是ITO靶材。大部分國家銦的保有量只有1.6萬(wàn)噸，中國的銦保有量約1萬(wàn)噸，到62%。接下來(lái)是秘魯的580噸、加拿大的560噸、美國的450噸，分別占大部分國家保有量的3.6%、3.5%、2.7%，比較可知。鈮是灰白色金屬，熔點(diǎn)2468℃，沸點(diǎn)4742℃，密度8.57克/立方厘米。鈮是一種帶光澤的灰色金屬，具有順磁性，屬于元素周期表上的5族。高純度鈮金屬的延展性較高，但會(huì )隨雜質(zhì)含量的增加而變硬。 一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時(shí)的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上。產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過(guò)鍍膜形成電極,其中兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時(shí)，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場(chǎng)強度對濺射電壓的影響當磁場(chǎng)強度為300G時(shí)，濺射電壓約為-350v；但當磁場(chǎng)強度升高到1000G時(shí)，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場(chǎng)強度越高、濺射電壓越低，但磁場(chǎng)強度為1000G以上時(shí)，磁場(chǎng)強度對濺射電壓的影響就不明顯了。ITO薄膜的濺射電壓，可以通過(guò)合理的增強濺射陰極的磁場(chǎng)強度來(lái)實(shí)現。 低電壓濺射制備ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備ITO薄膜的過(guò)程中，會(huì )產(chǎn)生大量的氧負離子，氧負離子在電場(chǎng)的作用下，以一定的粒子能量會(huì )轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結晶結構和晶體狀態(tài)造成結構缺陷。濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，同時(shí)將一套3KW的射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上。在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。超聲探傷：靶坯加工完后需要采用波進(jìn)行檢查材料內部是否有缺陷。一方面在陰極靶的周?chē)?