碳化硅元件在連續式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽命較長(cháng)。

　　這是因為元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長(cháng)時(shí)間使用使二氧化硅皮膜增加，阻值也隨之增加。

　　二氧化硅薄膜在結晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。

　　因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動(dòng)，所以反復破二氧化硅薄膜，加速氧化。

　　因此爐溫經(jīng)常降至室溫時(shí)會(huì )急劇增加電阻，導致元件使用壽命縮短。