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玻璃擁有良好的透過(guò)、透光性能,化學(xué)穩定性較高,并且可以根據不同加工方法來(lái)獲得較強的機械強度與保溫隔熱效果,甚至能夠使玻璃自主變色,隔絕過(guò)強的光線(xiàn),因此常用于各行各業(yè),滿(mǎn)足不同的需求。接下來(lái)請看鋼化玻璃爆開(kāi)會(huì )受到哪些因素影響,以及Low-E玻璃是如何生產(chǎn)的,增進(jìn)了解。
鋼化玻璃在無(wú)直接機械外力作用下發(fā)生的自動(dòng)性炸裂叫做鋼化玻璃的爆開(kāi),根據行業(yè)經(jīng)驗,普通鋼化玻璃的爆開(kāi)率在1~3‰左右。爆開(kāi)是鋼化玻璃固有的特性之一。
擴大產(chǎn)生爆開(kāi)的原因很多,簡(jiǎn)單地歸納以下幾種:
①玻璃質(zhì)量缺點(diǎn)的影響
A、玻璃中有結石、雜質(zhì),氣泡:玻璃中有雜質(zhì)是鋼化玻璃的薄弱點(diǎn),也是應力集中處。特別是結石若處在鋼化玻璃的張應力區是導致炸裂的重要因素。
結石存在于玻璃中,與玻璃體有著(zhù)不同的膨脹系數。玻璃鋼化后結石周?chē)鸭y區域的應力集中成倍地增加。當結石膨脹系數小于玻璃,結石周?chē)那邢驊μ幱谑芾瓲顟B(tài)。伴隨結石而存在的裂紋擴展較易發(fā)生。
B、玻璃中含有硫化鎳結晶物
硫化鎳夾雜物一般以結晶的小球體存在,直徑在0.1—2㎜。外表呈金屬狀,這些雜夾物是Ni3S2,Ni7S6和Ni—XS,其中X=0—0。07。只有Ni1—XS相是造成鋼化玻璃自發(fā)炸碎的主要原因。
已知理論上的NIS在379。C時(shí)有一相變過(guò)程,從高溫狀態(tài)的α—NiS六方晶系轉變?yōu)榈蜏貭顟B(tài)β—NiS三方晶系過(guò)程中,伴隨出現2.38%的體積膨脹。這一結構在室溫時(shí)保存下來(lái)。如果以后玻璃受熱就可能迅速出現α—β態(tài)轉變。如果這些雜物在鋼化玻璃受張應力的內部,則體積膨脹會(huì )引起自發(fā)炸裂。如果室溫時(shí)存在a—NIS,經(jīng)過(guò)數年、數月也會(huì )慢慢轉變到β態(tài),在這一相變過(guò)程中體積緩慢加大未必造成內部破裂。
C、玻璃表面因加工過(guò)程或操作不當造成有劃痕、炸口、深爆邊等缺點(diǎn),易造成應力集中或導致鋼化玻璃爆開(kāi)。
②鋼化玻璃中應力分布不均勻、偏移
玻璃在加熱或冷卻時(shí)沿玻璃厚度方向產(chǎn)生的溫度梯度不均勻、不對稱(chēng)。使鋼化制品有爆開(kāi)的趨向,有的在激冷時(shí)就產(chǎn)生“風(fēng)爆”。如果張應力區偏移到制品的某一邊或者偏移到表面則鋼化玻璃形成爆開(kāi)。
③鋼化程度的影響,實(shí)驗證明,當鋼化程度提高到1級/cm時(shí)爆開(kāi)數達20%~25%。由此可見(jiàn)應力越大鋼化程度越高,爆開(kāi)量也越大。
目前的兩種Low-E玻璃生產(chǎn)方法
在線(xiàn)高溫熱解沉積法:
在線(xiàn)高溫熱解沉積法"Low-E"玻璃在美國有多家公司的產(chǎn)品.如PPG公司的 Surgate200,福特公司的Sunglas H.R"P".這些產(chǎn)品是在浮法玻璃冷卻工藝過(guò)程中完成的.液體金屬或金屬粉沫直接噴射到熱玻璃表面上,隨著(zhù)玻璃的冷卻,金屬膜層成為玻璃的一部分 .固此,該膜層堅硬耐用.這種方法生產(chǎn)的"Low-E"玻璃具有許多優(yōu)點(diǎn):它可以熱彎,鋼化,不必在中空狀態(tài)下使用,可以長(cháng)期儲存.它的缺點(diǎn)是熱學(xué)性能比較差 .除非膜層非常厚,否則其"u"值只是濺射法"Low-E"鍍膜玻璃的一半.如果想通過(guò)增加膜厚來(lái)改善其熱學(xué)性能,那么其透明性就非常差.
離線(xiàn)真空濺射法
離線(xiàn)法生產(chǎn)Low-E玻璃,是目前全部上普遍采用真空磁控濺射鍍膜技術(shù).用濺射法可以生產(chǎn)"Low-E"玻璃的廠(chǎng)家及產(chǎn)品有北美的英特佩公司的"LnplusNetetralR",PPG公司的Sungatel00,福特公司的SunglasHRS等 .和高溫熱解沉積法不同,濺射法是離線(xiàn)的.且據玻璃傳輸位置的不同有水平及垂直之分.
濺射法工藝生產(chǎn)"Low-E"玻璃,需一層純銀薄膜作為功能膜.純銀膜在二層金屬氧化物膜之間.金屬氧化物膜對純銀膜提供保護,且作為膜層之間的中間層增加顏色的純度及光透射度.
垂直式生產(chǎn)工藝中,玻璃垂直放置在架子上,送入10-1帕數量級的真空環(huán)境中,通入適量的工藝氣體(惰性氣體Ar或反應氣體O2、N2),并保持真空度穩定.將靶材Ag、Si等嵌入陰較,并在與陰較垂直的水平方向置入磁場(chǎng)從而構成磁控靶.以磁控靶為陰較,加上直流或交流電源,在高電壓的作用下,工藝氣體發(fā)生電離,形成等離子體.其中,電子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的共同作用下,進(jìn)行高速螺旋運動(dòng),碰撞氣體分子,產(chǎn)生更多的正離子和電子;正離子在電場(chǎng)的作用下,達到一定的能量后撞擊陰較靶材,被濺射出的靶材沉積在玻璃基片上形成薄膜.為了形成均勻一致的膜層,陰較靶靠近玻璃表面來(lái)回移動(dòng).為了取得多層膜,必須使用多個(gè)陰較,每一個(gè)陰較均是在玻璃表面來(lái)回移動(dòng),形成一定的膜厚.
水平法在很大程度上是和垂直法相似的.主要區別在玻璃的放置,玻璃由水平排列的輪子傳輸,通過(guò)陰較,玻璃通過(guò)一系列銷(xiāo)定閥門(mén)之后,真空度也隨之變化.當玻璃到達主要濺射室時(shí),鍍膜壓力達到,金屬陰較靶固定,玻璃移動(dòng).在玻璃通過(guò)陰較過(guò)程中,膜層形成.
目前,國產(chǎn)和絕大部分進(jìn)口磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的目標產(chǎn)品均是以鍍制單質(zhì)膜和金屬膜為主的陽(yáng)光控制膜玻璃.這類(lèi)產(chǎn)品工藝相對簡(jiǎn)單,對設備的要求較低.因此,這些生產(chǎn)線(xiàn)不能滿(mǎn)足鍍制LOW-E玻璃的要求.
相關(guān)概念
物體由于外因(受力、濕度、溫度場(chǎng)變化等)而變形時(shí),在物體內各部分之間產(chǎn)生相互作用的內力,以抵抗這種外因的作用,并試圖使物體從變形后的位置恢復到變形前的位置。 在所考察的截面某一點(diǎn)單位面積上的內力稱(chēng)為應力。同截面垂直的稱(chēng)為正應力或法向應力,同截面相切的稱(chēng)為剪應力或切應力。
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